Как стать автором
Обновить

Intel обещает SSD-накопители объёмом 10 ТБ через два года

Время на прочтение 2 мин
Количество просмотров 13K

256—384 гигабит на 3D-чипе из 32 слоёв


В обычной NAND-памяти электрические элементы объединены в пределах плоскостных структур, и слои между собой не связаны. В августе прошлого года Samsung начала производить чипы V-NAND, состоящие из вертикально сложенных 24, а позже и 32 слоёв ячеек. Продолжительное время только корейская компания выпускала 3D-память, но 20 ноября этого года в видеопрезентации для инвесторов Intel раскрыла планы ответного решения.

Intel собирается умещать 256 гигабит (32 гигабайта) на одной микросхеме NAND-памяти из 32 слоёв по технологии MLC (multi-level cell), при использовании которой в каждой ячейке сохраняется по два бита, что требует калибровки четырёх состояний. При использовании TLC (triple-level cell, восемь состояний) этот объём возрастёт в полтора раза до 384 гигабит (48 гигабайтов).

В Samsung ведутся работы над «плоскими» схемами в 14 нм. Intel и Micron работают над 2D-памятью с техпроцессом в 16 нм. Но надёжность 3D-памяти падает с уменьшением размеров элементов. 3D-чипы Samsung используют 40 нм техпроцесс, ожидается, что и Intel поступит так же.



Повышение размеров элементов при использовании 3D-технологий привело к тому, что Samsung 850 Pro называют самым быстрым и надёжным накопителем на рынке.

В Intel не хотели бы устанавливать жёсткие рамки момента появления 10-терабайтных твердотельников. Скорее всего, устройство подобного объема сначала будет нацелено на корпоративный сектор и лишь позже получит широкое распространение в домашних компьютерах.

Вице-президент и генеральный директор Intel Роб Крук пообещал, что первые накопители такого объёма создадут уже через два года. Как он заметил, возможно появление терабайтной памяти толщиной в 2 мм, это означает, что объём памяти мобильных устройств тоже возрастёт.

Новые чипы будут производиться в рамках сотрудничества с Micron Technology на заводе Intel Micron Flash Technologies в Лехи, штат Юта. Начало работ запланировано на вторую половину 2015 года.

Для сравнения: у Samsung есть V-NAND накопитель SM1715 NVMe объёмом 3,2 ТБ. 400-гигабайтный 845DC Pro использует 4 24-слойных 3D-чипа с техпроцессом 40 нм, объём каждого составляет 128 ГБ. В модели 850 Pro применили 32-слойные V-NAND MLC-микросхемы объёмом 86 гигабит.

В конце этого года Hynix планирует начать производство 3D-NAND. Подобные работы ведутся и в SanDisk, возможно, в 2015 году мы увидим на прилавках их первые результаты. Вполне вероятно, что уже в следующем году 3D-память станет нормой.
Только зарегистрированные пользователи могут участвовать в опросе. Войдите, пожалуйста.
Каков «честный» объём твердотельных накопителей вашего компьютера?
29.71% У меня нет ни одного SSD 380
19.78% Менее 120 ГБ 253
40.5% 120—250 ГБ 518
9.46% 250—500 ГБ 121
3.91% 500—1000 ГБ 50
1.33% Больше 1000 ГБ 17
Проголосовали 1279 пользователей. Воздержался 61 пользователь.
Теги:
Хабы:
Если эта публикация вас вдохновила и вы хотите поддержать автора — не стесняйтесь нажать на кнопку
+23
Комментарии 51
Комментарии Комментарии 51

Публикации

Истории

Ближайшие события

Московский туристический хакатон
Дата 23 марта – 7 апреля
Место
Москва Онлайн
Геймтон «DatsEdenSpace» от DatsTeam
Дата 5 – 6 апреля
Время 17:00 – 20:00
Место
Онлайн